Spécification:

Fréquence de fonctionnement: bande d'onde L

Bande passante d'opération: Transmit≥140MHz

Recevoir ≥1650 MHz

Mode de fonctionnement: mode impulsion

Puissance d'émission: ≥100W (linéarité)

≥200W (P-1, version améliorée)

Bruit: ≤ 2,2 dB

Cohérence d'amplitude: ≤ ± 0,4 dB

Cohérence de phase: ≤4 ° (RMS)

Fonction amplitude et phase: déphasage 6 bits, atténuation 6 bits

Taille: 190 mm × 80 mm × 20 mm (quatre canaux)

Caractéristiques techniques:

Utilisez la technologie de débogage à pression négative pour obtenir la puissance élevée et le rendement élevé de l'amplificateur de puissance GaN et la miniaturisation du module est réalisée en utilisant la technologie de micro-assemblage à couche mince.

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